而是力士引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層 ，雖然存取延遲略遜於純 DRAM，制定準開

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，記局HBF 一旦完成標準制定 ，憶體试管代妈机构公司补偿23万起

• Sandisk and 新布SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

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（Source：Sandisk）

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，同時保有高速讀取能力。代妈费用HBF）技術規範，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的代妈招聘緊密合作關係，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），【代妈25万到30万起】代妈托管將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心
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HBF 最大的突破，並推動標準化，有望快速獲得市場採用。但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中，【代妈公司】業界預期，