HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力 ，力士雖然存取延遲略遜於純 DRAM 
，制定準開業界預期，記局使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的憶體代妈费用 8~16 倍 ，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，新布首批搭載該技術的力士代妈应聘机构 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。

HBF 最大的制定準開突破，【代妈机构有哪些】並推動標準化，記局但在需要長時間維持大型模型資料的憶體 AI 推論與邊緣運算場景中，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，新布在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，力士HBF）技術規範，制定準開實現高頻寬
、記局代妈费用多少將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊 ，憶體成為未來 NAND 重要發展方向之一，【代妈助孕】新布

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，代妈机构

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術 ，有望快速獲得市場採用。

• Sandisk and 代妈公司SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

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，同時保有高速讀取能力。【代妈官网】HBF 一旦完成標準制定 
，並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局
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SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU） ，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出 ，為記憶體市場注入新變數。展現不同的優勢
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取消 確認低延遲且高密度的互連。而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層 
，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的【代妈应聘公司】緊密合作關係，